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--- papers [2026/03/26 15:04] – [Table] vagelis
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 | Properties of NbxTi(1-x)N thin films deposited\\ on 300 mm silicon wafers for upscaling\\ superconducting digital circuits.  | Daniel Pérez Lozano  | Explains the stiochiometry differences between two samples and different positions within the substrate, which ok we can simulate but shouldn't be an issue  | [[https://arxiv.org/pdf/2311.09772|Link]]                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               |                                |
 | Superconducting properties and chemical composition of\\ NbTiN thin films with different thickness                           | L. Zhang             | Page 3 has the value for the NbTiN lattice constant which appears to be 0.435nm, so the so the sim should use triple that which turns out to be 1.3nm        | [[https://watermark02.silverchair.com/122603_1_online.pdf?token=AQECAHi208BE49Ooan9kkhW_Ercy7Dm3ZL_9Cf3qfKAc485ysgAABZkwggWVBgkqhkiG9w0BBwagggWGMIIFggIBADCCBXsGCSqGSIb3DQEHATAeBglghkgBZQMEAS4wEQQMpdvVgpzms3W0W3L3AgEQgIIFTCoPu4ZWcVh5x7GSxt37R76PqUfksQEVqeT8vfInZNFh2rWtWINd57EP35Nz3mYnNqSsHeVrmRSAVRnbvrIAV3tAp7rUybn4Pp7Hrmb649rBx_sqIJLZb4zJStmB8KUZp51rIIR31onRHDDKdSZEB-7lU39Q6F7j0v0aXvUcEEaO7eqsYtcmIkp1q8qhLRoqyalkMnZZS58aI4Arczcnq6337J-cRwBovZMBetJl8ry4wyXQYmSzojfWgZOh1pQk6BaXi9q-YwrQNu0NCzivfEsAqwGsgBUtmMVLdqVHH_4lvEBo4DPa35iB2EgGX4g6zpgIuL3hpQMIfF7cO8AIoqmNHjZTGG-F9-mVbssl70QqLzUT8o22bqxMVDW0oLjsAytOFtkPl3ZKM-Nsl6IZk7uoul1D3e6PRYMfBjTuy-58OZ1mingcUU64p6jOdjuO63ogwMIy-C2NDMph-vpd2_Jbhj--hG4Sj5tn4-bKeSseT6phBabO2t7_RfI3M4IkO44Ww_ES5a5SsbKvOaP6XxwErG4wnt19l4WzM5WJLKJ-LWF8koOg-b-ZbJV3yxTqxJzpBrepsb3RtxrFvJluPoDVAKrG9gjzm9cUqihQhXdQkTVyzntg_icsIIQQOdNPYbYLIXF4fxc3dFkSErOMetLlTUpXXcUHOJUBNGc5P2euI93hA83jqGkOL_-LS2dFNM9YgOLtFXJYnR5sO_8wpdW0ie8d1UwnywW-6qvBplOUvY3LR-G1G3ojIJScGE41PWqPWjxx2wdeQ0u50A5UtoR41cAtkLbsRgc1-ups1zaICHeq11BZaXkKEiHUsFLrMHqeoucIjvpPzo2BObpRquNO62PlOYhHJqtXt16V1m8mFAe8XuRPZ1zizuH6XqYVbSd8oNRe3-P13GDrm7pMLbgd8c_Itqhl5MjPC4ChwXSFMjK8jI7nE7z8nEfPULF6XlsA3JiOof7NFx5e8ZgSFafc69kcHeah6oHizRLPXy6Iuzs3GX6q-3YLnpi2xefShFOgSYRtdCAAjY1oYdU9RzYRqkhzIocIV8ezMSTah8llViemG0lNRrRgU2f3pdlwu-UILGSAnOV0OvhmfmGx1X1b70vfydsaC1RDnMpf5maT9KvtmZFvsHGVL0rpCNA8XDz8ddBUmjjQzLMYnwuE0ko7elBkpv2vNOxC3Y3jqZjuvIjcYSCipuxeZA5c9wc957AApbFwCyshYikbvh30IBqfS8Idk-Ail441rSMFwocJD8FZU-kURRgI-xB776J3srCZkXmV7Wl2WRAwf8yImF77rzI-o6kq1m8NlrDyt87J3-v_dqvOa985NJl2NqJJzGT7VSXlM0r9fc3d8GKvDwgXiCqdJJiPmBt5aUXmbVbZRJwOVTaZSw6L4AFY4LNmoNM4I2hZnh7rv4H2yZxP5mEd_1bLA-0-XAeD1hfzzwAuMiEsr_HKh9H_8NYCrYc--UtdF1XMIfsB_54KoO-1555g4C0itqJInfLV2RMQ-9QVn9sNiFL2G03tUjBqT6Tix4P8TIKAfJIiyymqHy0e7a-SDQGeJP0r-wtQRR1GsUI4_R592NZKokWcouxBCYxfnxBn7PNrfmvmaB3vNSRz059E-mwgWQsllGI6c0EwE41POuxo95B225iRgy61IlRdNdoImhJ7K72Ka8B9L1DiaW2pJiiExAqvyKE_QyY2EctlEPkzBJCFwZilsfsTaxNczWWzcWkundFUF8BnfxFuh_xm7i9nop_o4OFhGwBmV3zZMb7i5ZXbbYKeZ_L-qjFh32ZaHcs1n8WPJVgueAZ|Link]]  | Lattice constant for NbTiN     |
-|                                                                                                                              |                      |                                                                                                                                                              |                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                         |                                |
 **Electronics Design and Modeling**
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 **Simulation - GEANT4 - Drude-Lorentz approximation**
-^ Title  ^ Author  ^ Comment  ^ Link                                       ^ Keywords  ^
+^ Title                                                                                                                                      ^ Author                                                                      ^ Comment                                                                                                                                                                                                   ^ Link                                                                                                             ^ Keywords                                                      ^
-|        |         |          | [[https://arxiv.org/pdf/2507.01240|Link]]  |           |
+| An implementation of ionisation energy loss in very thin absorbers for the GEANT4 simulation package                                       | J. Apostolakis, S Giani, L. Urban, M. Maire, A. V. Bagulya, V. M. Grichine  | The paper corresponding to the Geant4 PAI model, including its main formula structures.                                                                                                                   | [[https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0168900200004575|Link]]                                 | PAI model theory, Geant 4 PAI                                 |
+| Approximation methods to calculate straggling functions                                                                                    | Hans Bichsel                                                                | Covers analytical methods for calculating the straggling function, including the approach used in the PAI model. While higher-precision methods exist, they offer only marginal (5%) improvements.        | [[https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0168900206007972|Link]]                                 | Straggling functions, Ionization models                       |
+| Spectral Distribution of Atomic Oscillator Strengths                                                                                       | U. Fano, J. W. Cooper                                                       | Theoretical foundation for the normalization method used in the PAI model.                                                                                                                                | [[https://journals.aps.org/rmp/abstract/10.1103/RevModPhys.40.441|Link]]                                         | Ionization cross-Section, normalization, sum rule, PAI model  |
+| A simple method for realistic estimation of the most probable energy loss in thin gas layers                                               | V. M. Grishin, G. I. Merson                                                 | Initial conceptual idea of what was later developped and implemented as the PAI model.                                                                                                                    | [[https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0168900289901903|Link]]                                      | Energy deposition in thin layers                              |
+| Validation of cross sections for Monte Carlo simulation of the photoelectric effect                                                        | M. Cheol Han et al.                                                         | Compares different data sets used in Geant4, Sandia Table is one of them.                                                                                                                                 | [[https://arxiv.org/abs/1601.06514|Link]]                                                                        | Sandia Table, PAI model                                       |
+| Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Compatible Deposition of Nanoscale Transition-Metal Nitride Thin Films for Plasmonic Applications  | R. Bower et al.                                                             | Experimental measurement of Drude-Lorentz oscillator parameters of TiN, NbN and NbTiN on different substrates. Values available in supporting info.                                                       | [[https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.0c10570|Link]]                                                         | NbTiN, Drude-Lorentz, dielectric                              |
+| Introduction to the PAI model                                                                                                              | I. B. Smirnov                                                               | Short introduction and description of the PAI model and it's application.                                                                                                                                 | [[https://indico.cern.ch/event/911950/contributions/3898109/attachments/2062395/3460176/Intro_PAI_wc.pdf|lINK]]  | PAI model, Ionization Cross-Section                           |
+| Recent progress of GEANT4 electromagnetic physics for LHC and other applications                                                           | A Bagulya et al.                                                            | A general description on ionization simulation, in which mentioned how to register PAI model via macro file.                                                                                              | [[https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/898/4/042032|Link]]                                       | Geant4, PAI model, attach models                              |
+| Analytical Approximations for X-Ray Cross Sections Ill                                                                                     | Frank Biggs, Ruth Lighthill                                                 | Original Sandia Table, in which gives the Biggs-Lighhill parameterisation. It was often mis-cited as “SAND 87-0070, 1990, 35p,” but the official report record identifies it as SAND-87-0070, Aug. 1988.  | [[https://www.osti.gov/servlets/purl/7124946/|Link]]                                                             | PAI model, Biggs-Lighthill parameters, Sandia Table           |
 **Theory - Time Dependent Ginsburg-Landau**